双频段射频前端低噪声放大器和混频器电路设计

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随着无线通信技术的迅猛发展和巨大的市场空间，相关的各种无线集成解决方案一直被广泛研究，其中基于CMOS工艺的解决方案由于成本、功耗的优势已成为研究热点，作为射频接收机中的两个重要的模块-低噪声放大器和混频器，采用CMOS工艺设计早就引起RFIC设计业的重视。本文采用CMOS工艺进行了一个应用于无线局域网(802.11a)和3G(2.6GHz频段)通讯双频段零中频接收机中的低噪声放大器和混频器的设计。首先，本文给出了一个带有有源单双端转换电路的双频段低噪声放大器电路结构,该低噪声放大器是对已知的一种双频段低噪声放大器结构进行改进，使用功耗限制下噪声和输入同时匹配(Power Constraint SimultaneousNoise and Input Matching，PCSNIM)技..